【規格】
FET 類型(xing)：N 溝道
技術(shu)：MOSFET（金屬氧化物）
漏(lou)源電壓（Vdss）：500V
電流 - 連續漏(lou)極（Id）（25°C 時）：2.4A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：13V
不(bu)同 Id 時的 Vgs（th）（最大值(zhi)）：3.5V @ 50μA
不同 Vgs 時的(de)柵極電(dian)荷 （Qg）（最大值）：6nC @ 10V
不同(tong) Vds 時的輸入(ru)電容(rong)（Ciss）（最大值）：124pF @ 100V
Vgs（最大(da)值(zhi)）：±20V
功率耗散(san)（最大值）：22W（Tc）
不(bu)同 Id，Vgs 時的(de) Rds On（最大值）：2 歐姆 @ 600mA，13V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型(xing)：通孔
供應商器件封裝：PG-TO251-3
封裝/外殼：TO-251-3 短引線(xian)，IPak，TO-251AA
IPA60R800CE
IPD50R950CE
IPSA70R600CE
IPS70R1K4CE
IPA50R650CE
IPU60R1K0CE
IPU80R1K0CE
IPU50R950CE
IPS70R950CE
IPS65R1K5CE
IPN50R3K0CE
IPD70R2K0CE
IPU50R2K0CE
IPS60R2K1CE
IPS60R1K0CE
IPS70R2K0CE
IPSA70R950CE
IPS60R1K5CE
IPS60R3K4CE
IPU50R3K0CE
IPS65R650CE
IPSA70R2K0CE
IPU60R3K4CE
IPD60R3K4CE
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